دانلود رایگان

پاورپوینت درباره ترانزيستورهاي اثر ميدان - دانلود رایگان



دانلود رایگان مقاله,درمورد,تحقیق,دانلود,طرح,توجیهی,درباره, ترانزیستورهای اثر میدان

دانلود رایگان پاورپوینت درباره ترانزيستورهاي اثر ميدان فرمت فایل:پاورپوینت

فروشگاه:دانشکده ها

منبع:daneshkadeha.sellfile.ir

در صورت خرابی فایل میتوانید به ما اطلاع دهید

شماره تلفن:09397058341

آیدی تلگرام:daneshkadeha

هر گونه فایلی اگر در فروشگاه نیافتید میتوانید با ما تماس بگیرید

و ما فایل مورد نظرتان از طریق تلگرام به شما تقدیم میکنیم.



تعداد اسلاید : 20 اسلاید
ترانزيستورهاي اثر ميدان (FET) الکترونیک دیجیتال تهیه و تنظیم : مهندس رضا فهیمی ترانزيستور اثر ميدان
Field Effect Transistor الکترونیک دیجیتال ترانزیستور اثر میدان، دسته ای ازترانزيستورها هستند که مبنای کار کنترل جریان در آن ها توسط یک ميدان الكتريكي صورت می گیرد. با توجه به اینکه در این ترانزیستورها تنها یک نوع حامل بار (الکترون آزاد یا حفره) در ایجاد جریان الکتریکی دخالت دارند، می توان آن ها را جزو ترانزیستورهای تک قطبی محسوب کرد كلمه ترانزيستور از دو كلمه ترانس (انتقال) و رزيستور (مقاومت) تشكيل شده است و قطعه اي است كه از طريق انتقال مقاومت به خروجي باعث تقويت مي شود. تعريف الکترونیک دیجیتال اگر قطعه اي سيليكن با ناخالصي نوع n به دو سر يك باتري وصل كنيم جرياني با توجه به ميزان مقاومت سيليكن در مدار جاري مي شود ورود الكترون ها خروج الكترون ها ايجاد ترانزيستور اثر ميدان (FET) الکترونیک دیجیتال نفوذ فلز سه ظرفيتي (مانند اينديم) و ايجاد ناحيه اي از نوع P با غلظتي بيش از ناحيه n
و ايجاد اتصالي به نام گيت ناحيه n كانال ناميده مي شود باياس ترانزيستور و نحوه كاركرد آن الکترونیک دیجیتال اگر هر سه پايه سورس و درين را اتصال كوتاه كنيم هيچ جرياني از كانال نمي گذرد و دو ناحيه P و n توسط ناحيه تخليه از هم جدا مي شوند. 1 الکترونیک دیجیتال اتصال منبع ولتاژ بين دو پايه درين و سورس به طوري كه درين نسبت به سورس مثبت تر باشد باعث :
افزايش ولتاژ باعث عبور جريان از كانال مي شود
اتصال pn در گرايش معكوس قرار مي گيرد
ناحيه تخليه (سد) در داخل كانال نفوذ مي كند
با افزايش بيشتر ولتاژ كانال مسدود مي شود. (ولتاژ بحراني Vp) در هنگام رسيدن به ولتاژ بحراني جريان FET به حداكثر (جريان اشباع درين – سورس) مي رسد افزايش بيش از حد ولتاژ
درين – سورس باعث شكست بهمني يا سوختن ترانزيستور مي شود 2 باياس ترانزيستور و نحوه كاركرد آن الکترونیک دیجیتال 3 باياس ترانزيستور و نحوه كاركرد آن 4 افزايش

VDS الکترونیک دیجیتال اتصال منبع ولتاژ بين گيت و سورس در جهت معكوس باعث:
- گسترش هر چه سريعتر ناحيه تخليه در كانال باياس ترانزيستور و نحوه كاركرد آن 5 در صورتيكه ولتاژ درين – سورس را بيش از ولتاژ بحراني انتخاب كنيم:
با افزايش ولتاز گيت سورس سرانجام جريان درين صفر خواهد شد. كه به اين ولتاژ ، ولتاژ قطع يا آستانه ناميده مي شود. الکترونیک دیجیتال درعمل به منظور داشتن مشخصات الكتريكي بهتر ناحيه گيت را در دو طرف كانال ايجاد مي كنند و اين دو ناحيه از داخل به هم متصل مي شود. در اين حالت پيشروي ناحيه تخليه متناسب خواهد بود الکترونیک دیجیتال علامت اختصاري FET الکترونیک دیجیتال الکترونیک دیجیتال در اين ترانزيستور تغييرات جريان درين وابسته به تغييرات VDS و VGS مي باشد منحني مشخصه
FET ناحيه قطع : رسيدن ولتاژ VGS به ولتاژ آستانه و تسخير كانال توسط ناحيه تخليه هيچ جرياني از درين نمي گذرد ناحيه خطي: در اين ناحيه ترانزيستور مانند مقاومت خطي عمل مي كند و مقدار آن با مقدار VGS تغيير مي كند. ناحيه اشباع: در اين ناحيه ترانزيستور مانند منبع جريان ثابت عمل مي كند شرط حضور ترانزيستور در اين ناحيه :
VDS  VP + VGS ترانزيستور اثر ميدان با گيت عايق شده
I





برای بازاریاب شدن از فروشگاه دانشکده ها کلیک کنید

و بازاریاب مخصوص ما شوید


مقاله


درمورد


تحقیق


دانلود


طرح


توجیهی


درباره


ترانزیستورهای اثر میدان


مقاله


پاورپوینت


فایل فلش


کارآموزی


گزارش تخصصی


اقدام پژوهی


درس پژوهی


جزوه


خلاصه